MRFG35003N6AT1
รายละเอียด
Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage ::
- 5 V
Technology ::
GaAs
ประเภทสินค้า ::
ทรานซิสเตอร์ RF JFET
Mounting Style ::
SMD/SMT
Gain ::
10 dB
Transistor Type ::
pHEMT
บรรจุภัณฑ์ / กล่อง ::
PLD-1.5
Maximum Operating Temperature ::
+ 85 C
Vds - แรงดันพังทลายระหว่างเดรนและซอร์ส ::
8 โวลต์
Packaging ::
Reel
Id - Continuous Drain Current ::
2.9 A
Manufacturer ::
Freescale / NXP
คําแนะนํา
MRFG35003N6AT1 จาก Freescale / NXP เป็น RF JFET Transistors สิ่งที่เรานําเสนอมีราคาที่แข่งขันในตลาดโลก ซึ่งมีทั้งชิ้นเดิมและชิ้นใหม่หากคุณต้องการรู้เพิ่มเติมเกี่ยวกับสินค้า หรือขอราคาต่ํากว่า, โปรดติดต่อเราผ่าน ผ่านออนไลน์แชท หรือส่งข้อเสนอราคาให้เรา!
ส่ง RFQ
สต็อค:
ขั้นต่ำ: