NPT1012B
![คุณภาพ [#varpname#] โรงงาน](http://www.passive-electronicparts.com/images/load_icon.gif){kind=icon}
ผู้ผลิต:
มาคอม
คําอธิบาย:
ทรานซิสเตอร์ RF JFET DC-4.0GHz P1dB 43dBm ได้รับ 13dB GaN
ประเภท:
อิเล็กทรอนิกส์เซมีคอนดักเตอร์
รายละเอียด
Transistor Polarity ::
N-Channel
Technology ::
GaN Si
Product Category ::
RF JFET Transistors
Mounting Style ::
Screw
Gain ::
13 dB
Transistor Type ::
HEMT
Pd - Power Dissipation ::
44 W
อุณหภูมิใช้งานสูงสุด ::
+ 200 องศาเซลเซียส
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage ::
100 V
Packaging ::
Tray
Id - Continuous Drain Current ::
4 mA
Vgs - แรงดันพังทลายระหว่างเกตและแหล่งกำเนิด ::
3 โวลต์
Manufacturer ::
MACOM
คําแนะนํา
NPT1012B จาก MACOM เป็น RF JFET ทรานซิสเตอร์ สิ่งที่เรานําเสนอมีราคาที่แข่งขันในตลาดโลก ซึ่งมีทั้งชิ้นเดิมและชิ้นใหม่หากคุณต้องการรู้เพิ่มเติมเกี่ยวกับสินค้า หรือขอราคาต่ํากว่า, โปรดติดต่อเราผ่าน ผ่านออนไลน์แชท หรือส่งข้อเสนอราคาให้เรา!
สินค้าที่เกี่ยวข้อง
MACOM Rf ในครึ่งตัวนํา MADP-007167-0287AT
PIN Diodes Ls = 1.4nH SOT-23 Single Cp=.12pF
MADP-007433-12790T 1.5 โอม RF ครึ่งประสาท 0.35 pF 75 V
PIN Diodes Single L .6nH C .1pF
| ภาพ | ส่วนหนึ่ง # | คําอธิบาย | |
|---|---|---|---|
|
|
MACOM Rf ในครึ่งตัวนํา MADP-007167-0287AT |
PIN Diodes Ls = 1.4nH SOT-23 Single Cp=.12pF
|
|
|
|
MADP-007433-12790T 1.5 โอม RF ครึ่งประสาท 0.35 pF 75 V |
PIN Diodes Single L .6nH C .1pF
|
ส่ง RFQ
สต็อค:
ขั้นต่ำ: