TGF2819-FL
รายละเอียด
Transistor Polarity ::
N-Channel
Technology ::
GaN SiC
Product Category ::
RF JFET Transistors
Mounting Style ::
Screw
Gain ::
14 dB
Transistor Type ::
HEMT
Output Power ::
100 W
Pd - Power Dissipation ::
86 W
Maximum Operating Temperature ::
+ 85 C
Vds - แรงดันพังทลายระหว่างเดรนและซอร์ส ::
32 โวลต์
Packaging ::
Tray
Maximum Drain Gate Voltage ::
145 V
Id - Continuous Drain Current ::
7.32 A
Vgs - แรงดันพังทลายระหว่างเกตและแหล่งกำเนิด ::
- 2.9 โวลต์
Manufacturer ::
Qorvo
คําแนะนํา
TGF2819-FL จาก Qorvo เป็นรังสี RF JFET ทรานซิสเตอร์ สิ่งที่เรานําเสนอมีราคาที่แข่งขันในตลาดโลก ซึ่งเป็นชิ้นส่วนเดิมและใหม่หากคุณต้องการรู้เพิ่มเติมเกี่ยวกับสินค้า หรือขอราคาต่ํากว่า, โปรดติดต่อเราผ่าน ผ่านออนไลน์แชท หรือส่งข้อเสนอราคาให้เรา!
ส่ง RFQ
สต็อค:
ขั้นต่ำ: