TGF2160
รายละเอียด
Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage ::
- 7 V
Technology ::
GaAs
Product Category ::
RF JFET Transistors
Mounting Style ::
SMD/SMT
Gain ::
10.4 dB
Transistor Type ::
pHEMT
Pd - Power Dissipation ::
5.6 W
Maximum Operating Temperature ::
+ 150 C
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage ::
12 V
Packaging ::
Tray
Id - Continuous Drain Current ::
517 mA
Manufacturer ::
Qorvo
คําแนะนํา
TGF2160 จาก Qorvo เป็น RF JFET ทรานซิสเตอร์ สิ่งที่เรานําเสนอมีราคาที่แข่งขันในตลาดโลก ซึ่งมีทั้งชิ้นเดิมและชิ้นใหม่หากคุณต้องการรู้เพิ่มเติมเกี่ยวกับสินค้า หรือขอราคาต่ํากว่า, โปรดติดต่อเราผ่าน ผ่านออนไลน์แชท หรือส่งข้อเสนอราคาให้เรา!
ส่ง RFQ
สต็อค:
ขั้นต่ำ: