T1G2028536-FL
![คุณภาพ [#varpname#] โรงงาน](http://www.passive-electronicparts.com/images/load_icon.gif){kind=icon}
ผู้ผลิต:
คอร์โว
คําอธิบาย:
RF JFET Transistors DC-2GHz P3dB 260W Gain 18dB@1.2GHz GaN
ประเภท:
อิเล็กทรอนิกส์เซมีคอนดักเตอร์
รายละเอียด
ขั้วทรานซิสเตอร์ ::
N-ช่อง
Technology ::
GaN SiC
Product Category ::
RF JFET Transistors
Mounting Style ::
SMD/SMT
Gain ::
20.8 dB
Transistor Type ::
HEMT
Output Power ::
260 W
Pd - Power Dissipation ::
288 W
Maximum Operating Temperature ::
+ 275 C
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage ::
36 V
Packaging ::
Tray
Maximum Drain Gate Voltage ::
48 V
Id - Continuous Drain Current ::
24 A
Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage ::
145 V
Manufacturer ::
Qorvo
คําแนะนํา
T1G2028536-FL จาก Qorvo เป็น RF JFET ทรานซิสเตอร์ สิ่งที่เรานําเสนอมีราคาที่แข่งขันในตลาดโลก ซึ่งมีทั้งชิ้นเดิมและชิ้นใหม่หากคุณต้องการรู้เพิ่มเติมเกี่ยวกับสินค้า หรือขอราคาต่ํากว่า, โปรดติดต่อเราผ่าน ผ่านออนไลน์แชท หรือส่งข้อเสนอราคาให้เรา!
ส่ง RFQ
สต็อค:
ขั้นต่ำ: