QPD1015L

ผู้ผลิต:
คอร์โว
คําอธิบาย:
RF JFET Transistors DC-3.7GHz 65W 50V SSG 20dB GaN
ประเภท:
อิเล็กทรอนิกส์เซมีคอนดักเตอร์
รายละเอียด
Transistor Polarity ::
N-Channel
Technology ::
GaN SiC
Product Category ::
RF JFET Transistors
Mounting Style ::
Screw
Gain ::
20 dB
Transistor Type ::
HEMT
Output Power ::
70 W
Package / Case ::
NI-360
อุณหภูมิใช้งานสูงสุด ::
+ 85 องศาเซลเซียส
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage ::
50 V
Packaging ::
Tray
Id - Continuous Drain Current ::
2.5 A
Vgs - แรงดันพังทลายระหว่างเกตและแหล่งกำเนิด ::
145 โวลต์
Pd - Power Dissipation ::
64 W
ผู้ผลิต ::
คอร์โว
คําแนะนํา
QPD1015L จาก Qorvo เป็น RF JFET Transistors สิ่งที่เรานําเสนอมีราคาที่แข่งขันในตลาดโลก ซึ่งมีทั้งชิ้นเดิมและชิ้นใหม่หากคุณต้องการรู้เพิ่มเติมเกี่ยวกับสินค้า หรือขอราคาต่ํากว่า, โปรดติดต่อเราผ่าน ผ่านออนไลน์แชท หรือส่งข้อเสนอราคาให้เรา!
ส่ง RFQ
สต็อค:
ขั้นต่ำ: