PMBFJ110215
รายละเอียด
Transistor Polarity ::
N-Channel
Technology ::
Si
Product Category ::
RF JFET Transistors
Mounting Style ::
SMD/SMT
Pd - Power Dissipation ::
250 mW
Package / Case ::
SOT-23
อุณหภูมิใช้งานสูงสุด ::
+ 150 องศาเซลเซียส
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage ::
25 V
Packaging ::
Reel
แรงดันไฟประตูระบายน้ำสูงสุด ::
- 25 โวลต์
Id - Continuous Drain Current ::
10 mA
Vgs - แรงดันพังทลายระหว่างเกตและแหล่งกำเนิด ::
- 25 โวลต์
Manufacturer ::
NXP Semiconductors
คําแนะนํา
เครื่อง PMBFJ110215จาก NXP Semiconductors เป็น RF JFET Transistors สิ่งที่เรานําเสนอมีราคาที่แข่งขันในตลาดโลกหากคุณต้องการรู้เพิ่มเติมเกี่ยวกับสินค้า หรือขอราคาต่ํากว่า, โปรดติดต่อเราผ่าน ผ่านออนไลน์แชท หรือส่งข้อเสนอราคาให้เรา!
ส่ง RFQ
สต็อค:
ขั้นต่ำ: