TGF2819-FS
รายละเอียด
				
						Transistor Polarity ::
						
																				N-Channel
					
						Technology ::
						
																				GaN SiC
					
						Product Category ::
						
																				RF JFET Transistors
					
						Mounting Style ::
						
																				SMD/SMT
					
						Gain ::
						
																				14 dB
					
						Transistor Type ::
						
																				HEMT
					
						Output Power ::
						
																				100 W
					
						Pd - Power Dissipation ::
						
																				86 W
					
						Maximum Operating Temperature ::
						
																				+ 85 C
					
						Vds - Drain-Source Breakdown Voltage ::
						
																				32 V
					
						Packaging ::
						
																				Tray
					
						Maximum Drain Gate Voltage ::
						
																				145 V
					
						Id - Continuous Drain Current ::
						
																				7.32 A
					
						Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage ::
						
																				- 2.9 V
					
						Manufacturer ::
						
														Qorvo
					คําแนะนํา
				
						TGF2819-FS จาก Qorvo เป็น RF JFET Transistors สิ่งที่เรานําเสนอมีราคาที่แข่งขันในตลาดโลก ซึ่งมีทั้งชิ้นเดิมและชิ้นใหม่หากคุณต้องการรู้เพิ่มเติมเกี่ยวกับสินค้า หรือขอราคาต่ํากว่า, โปรดติดต่อเราผ่าน ผ่านออนไลน์แชท หรือส่งข้อเสนอราคาให้เรา!
					    					
				ส่ง RFQ
				
							สต็อค:
							
							            							    														
						
						
							ขั้นต่ำ:
							
							            							    														
						
					

 
        ![คุณภาพ [#varpname#] โรงงาน](http://www.passive-electronicparts.com/images/load_icon.gif)