NPTB00004A

ผู้ผลิต:
มาคอม
คําอธิบาย:
ทรานซิสเตอร์ RF JFET DC-6.0GHz 5W ได้รับ 16dB GaN HEMT
ประเภท:
อิเล็กทรอนิกส์เซมีคอนดักเตอร์
รายละเอียด
Transistor Polarity ::
N-Channel
Technology ::
GaN Si
Product Category ::
RF JFET Transistors
Mounting Style ::
SMD/SMT
Gain ::
16 dB
Transistor Type ::
HEMT
Pd - Power Dissipation ::
11.6 W
Package / Case ::
SOIC
อุณหภูมิใช้งานสูงสุด ::
+ 200 องศาเซลเซียส
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage ::
100 V
Packaging ::
Tray
Id - Continuous Drain Current ::
2 mA
Vgs - แรงดันพังทลายระหว่างเกตและแหล่งกำเนิด ::
3 มิลลิแอมป์
Manufacturer ::
MACOM
คําแนะนํา
NPTB00004A จาก MACOM เป็น RF JFET ทรานซิสเตอร์ สิ่งที่เรานําเสนอมีราคาที่แข่งขันในตลาดโลก ซึ่งมีทั้งชิ้นเดิมและชิ้นใหม่หากคุณต้องการรู้เพิ่มเติมเกี่ยวกับสินค้า หรือขอราคาต่ํากว่า, โปรดติดต่อเราผ่าน ผ่านออนไลน์แชท หรือส่งข้อเสนอราคาให้เรา!
ส่ง RFQ
สต็อค:
ขั้นต่ำ: