J108126
รายละเอียด
ขั้วทรานซิสเตอร์ ::
N-ช่อง
Technology ::
Si
ประเภทสินค้า ::
ทรานซิสเตอร์ RF JFET
Mounting Style ::
Through Hole
Transistor Type ::
JFET
Pd - Power Dissipation ::
400 mW
Package / Case ::
TO-92
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage ::
25 V
Packaging ::
Ammo Pack
Id - Continuous Drain Current ::
80 mA
Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage ::
25 V
Manufacturer ::
NXP Semiconductors
คําแนะนํา
J108126จาก NXP Semiconductors เป็น RF JFET Transistors สิ่งที่เรานําเสนอมีราคาที่แข่งขันในตลาดโลกหากคุณต้องการรู้เพิ่มเติมเกี่ยวกับสินค้า หรือขอราคาต่ํากว่า, โปรดติดต่อเราผ่าน ผ่านออนไลน์แชท หรือส่งข้อเสนอราคาให้เรา!
ส่ง RFQ
สต็อค:
ขั้นต่ำ: