TGF2120
รายละเอียด
Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage ::
- 12 V
เทคโนโลยี ::
กาส
Product Category ::
RF JFET Transistors
ได้รับ ::
11 เดซิเบล
Transistor Type ::
pHEMT
Pd - Power Dissipation ::
4.2 W
Package / Case ::
Die
Maximum Operating Temperature ::
+ 150 C
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage ::
8 V
Packaging ::
Tray
Id - Continuous Drain Current ::
194 mA
Manufacturer ::
Qorvo
คําแนะนํา
TGF2120 จาก Qorvo เป็น RF JFET ทรานซิสเตอร์ สิ่งที่เรานําเสนอมีราคาที่แข่งขันในตลาดโลก ซึ่งมีทั้งชิ้นเดิมและชิ้นใหม่หากคุณต้องการรู้เพิ่มเติมเกี่ยวกับสินค้า หรือขอราคาต่ํากว่า, โปรดติดต่อเราผ่าน ผ่านออนไลน์แชท หรือส่งข้อเสนอราคาให้เรา!
ส่ง RFQ
สต็อค:
ขั้นต่ำ: