T1G6001032-SM

ผู้ผลิต:
คอร์โว
คําอธิบาย:
RF JFET Transistors DC-6GHz 32Volt GaN 10 Watt Peak
ประเภท:
อิเล็กทรอนิกส์เซมีคอนดักเตอร์
รายละเอียด
Transistor Polarity ::
N-Channel
Technology ::
GaN SiC
ประเภทสินค้า ::
ทรานซิสเตอร์ RF JFET
Mounting Style ::
SMD/SMT
ได้รับ ::
19 เดซิเบล
Transistor Type ::
HEMT
Pd - Power Dissipation ::
16 W
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage ::
32 V
Packaging ::
Tray
Maximum Drain Gate Voltage ::
- 2.9 V
Id - Continuous Drain Current ::
1.2 A
Manufacturer ::
Qorvo
คําแนะนํา
T1G6001032-SM จาก Qorvo เป็น RF JFET Transistors สิ่งที่เรานําเสนอมีราคาที่แข่งขันในตลาดโลก ซึ่งมีทั้งชิ้นเดิมและชิ้นใหม่หากคุณต้องการรู้เพิ่มเติมเกี่ยวกับสินค้า หรือขอราคาต่ํากว่า, โปรดติดต่อเราผ่าน ผ่านออนไลน์แชท หรือส่งข้อเสนอราคาให้เรา!
ส่ง RFQ
สต็อค:
ขั้นต่ำ: