ทีจีเอฟ2955
รายละเอียด
Transistor Polarity ::
N-Channel
Technology ::
GaN SiC
Product Category ::
RF JFET Transistors
Mounting Style ::
SMD/SMT
Gain ::
19.2 dB
Transistor Type ::
HEMT
Output Power ::
46.4 dBm
Package / Case ::
Die
อุณหภูมิใช้งานสูงสุด ::
+ 150 องศาเซลเซียส
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage ::
32 V
Packaging ::
Waffle
Maximum Drain Gate Voltage ::
100 V
Id - กระแสไฟเดรนต่อเนื่อง ::
2.5 ก
Pd - Power Dissipation ::
41 W
ผู้ผลิต ::
คอร์โว
คําแนะนํา
TGF2955 จาก Qorvo เป็น RF JFET ทรานซิสเตอร์ สิ่งที่เรานําเสนอมีราคาที่แข่งขันในตลาดโลก ซึ่งมีทั้งชิ้นเดิมและชิ้นใหม่หากคุณต้องการรู้เพิ่มเติมเกี่ยวกับสินค้า หรือขอราคาต่ํากว่า, โปรดติดต่อเราผ่าน ผ่านออนไลน์แชท หรือส่งข้อเสนอราคาให้เรา!
ส่ง RFQ
สต็อค:
ขั้นต่ำ: