ทีจีเอฟ2060
รายละเอียด
Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage ::
- 3 V
Technology ::
GaAs
ประเภทสินค้า ::
ทรานซิสเตอร์ RF JFET
Mounting Style ::
SMD/SMT
ได้รับ ::
12 เดซิเบล
Transistor Type ::
pHEMT
Pd - Power Dissipation ::
2.1 W
Maximum Operating Temperature ::
+ 150 C
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage ::
8 V
Packaging ::
Gel Pack
Id - Continuous Drain Current ::
194 mA
Manufacturer ::
Qorvo
คําแนะนํา
TGF2060 จาก Qorvo เป็น RF JFET Transistors สิ่งที่เรานําเสนอมีราคาที่แข่งขันในตลาดโลก ซึ่งมีทั้งชิ้นเดิมและชิ้นใหม่หากคุณต้องการรู้เพิ่มเติมเกี่ยวกับสินค้า หรือขอราคาต่ํากว่า, โปรดติดต่อเราผ่าน ผ่านออนไลน์แชท หรือส่งข้อเสนอราคาให้เรา!
ส่ง RFQ
สต็อค:
ขั้นต่ำ: