ทีจีเอฟ2021-12
รายละเอียด
Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage ::
- 8 V
Technology ::
GaAs
Product Category ::
RF JFET Transistors
Mounting Style ::
SMD/SMT
Gain ::
11 dB
Transistor Type ::
pHEMT
Package / Case ::
Die 18
Maximum Operating Temperature ::
+ 150 C
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage ::
12 V
Packaging ::
Gel Pack
Id - Continuous Drain Current ::
3.6 A
Manufacturer ::
Qorvo
คําแนะนํา
TGF2021-12 จาก Qorvo เป็น RF JFET Transistors สิ่งที่เรานําเสนอมีราคาที่แข่งขันในตลาดโลก ซึ่งมีทั้งชิ้นเดิมและชิ้นใหม่หากคุณต้องการรู้เพิ่มเติมเกี่ยวกับสินค้า หรือขอราคาต่ํากว่า, โปรดติดต่อเราผ่าน ผ่านออนไลน์แชท หรือส่งข้อเสนอราคาให้เรา!
ส่ง RFQ
สต็อค:
ขั้นต่ำ: