เจ111,126
รายละเอียด
Transistor Polarity ::
N-Channel
Technology ::
Si
Product Category ::
RF JFET Transistors
Mounting Style ::
Through Hole
Transistor Type ::
JFET
Pd - Power Dissipation ::
400 mW
บรรจุภัณฑ์ / กล่อง ::
TO-92
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage ::
40 V
Packaging ::
Ammo Pack
Id - Continuous Drain Current ::
20 mA
Vgs - แรงดันพังทลายระหว่างเกตและแหล่งกำเนิด ::
40 โวลต์
Manufacturer ::
NXP Semiconductors
คําแนะนํา
เจ111126จาก NXP Semiconductors เป็น RF JFET Transistors สิ่งที่เรานําเสนอมีราคาที่แข่งขันในตลาดโลกหากคุณต้องการรู้เพิ่มเติมเกี่ยวกับสินค้า หรือขอราคาต่ํากว่า, โปรดติดต่อเราผ่าน ผ่านออนไลน์แชท หรือส่งข้อเสนอราคาให้เรา!
ส่ง RFQ
สต็อค:
ขั้นต่ำ: