NPT2022
![คุณภาพ [#varpname#] โรงงาน](http://www.passive-electronicparts.com/images/load_icon.gif){kind=icon}
ผู้ผลิต:
มาคอม
คําอธิบาย:
RF JFET Transistors DC-2.0GHz 100W Gain 20dB GaN HEMT
ประเภท:
อิเล็กทรอนิกส์เซมีคอนดักเตอร์
รายละเอียด
Transistor Polarity ::
N-Channel
Technology ::
GaN Si
ประเภทสินค้า ::
ทรานซิสเตอร์ RF JFET
Mounting Style ::
Screw
ได้รับ ::
21 เดซิเบล
Transistor Type ::
HEMT
Output Power ::
100 W
Maximum Operating Temperature ::
+ 85 C
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage ::
160 V
Packaging ::
Tray
Id - Continuous Drain Current ::
24 mA
Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage ::
3 V
Manufacturer ::
MACOM
คําแนะนํา
NPT2022 จาก MACOM เป็น RF JFET Transistors สิ่งที่เรานําเสนอมีราคาที่แข่งขันในตลาดโลก ซึ่งมีทั้งชิ้นเดิมและชิ้นใหม่หากคุณต้องการรู้เพิ่มเติมเกี่ยวกับสินค้า หรือขอราคาต่ํากว่า, โปรดติดต่อเราผ่าน ผ่านออนไลน์แชท หรือส่งข้อเสนอราคาให้เรา!
สินค้าที่เกี่ยวข้อง
MACOM Rf ในครึ่งตัวนํา MADP-007167-0287AT
PIN Diodes Ls = 1.4nH SOT-23 Single Cp=.12pF
MADP-007433-12790T 1.5 โอม RF ครึ่งประสาท 0.35 pF 75 V
PIN Diodes Single L .6nH C .1pF
| ภาพ | ส่วนหนึ่ง # | คําอธิบาย | |
|---|---|---|---|
|
|
MACOM Rf ในครึ่งตัวนํา MADP-007167-0287AT |
PIN Diodes Ls = 1.4nH SOT-23 Single Cp=.12pF
|
|
|
|
MADP-007433-12790T 1.5 โอม RF ครึ่งประสาท 0.35 pF 75 V |
PIN Diodes Single L .6nH C .1pF
|
ส่ง RFQ
สต็อค:
ขั้นต่ำ: