A3G26H502W17SR3

ผู้ผลิต:
เอ็นเอ็กซ์พี ยูเอสเอ อิงค์
คําอธิบาย:
RF Power Discrete Transistors
ประเภท:
อิเล็กทรอนิกส์เซมีคอนดักเตอร์
รายละเอียด
Product Category ::
RF Amplifier
Gain (dB) ::
13.2
Avg Power (W) ::
80
Frequency Min (GHz) ::
2.496
Process ::
GaN
Frequency Max (GHz) ::
2.69
Manufacturer ::
NXP USA Inc.
คําแนะนํา
A3G26H502W17SR3 จาก NXP USA Inc. เป็นเครื่องขยายเสียง RF สิ่งที่เรานําเสนอมีราคาที่แข่งขันในตลาดโลก ซึ่งมีทั้งชิ้นเดิมและชิ้นใหม่หากคุณต้องการรู้เพิ่มเติมเกี่ยวกับสินค้า หรือขอราคาต่ํากว่า, โปรดติดต่อเราผ่าน ผ่านออนไลน์แชท หรือส่งข้อเสนอราคาให้เรา!
สินค้าที่เกี่ยวข้อง
ส่ง RFQ
สต็อค:
ขั้นต่ำ: