BLF6G20-180PN112
![คุณภาพ [#varpname#] โรงงาน](http://www.passive-electronicparts.com/images/load_icon.gif){kind=icon}
ผู้ผลิต:
แอมเพิล ยูเอสเอ อิงค์
คําอธิบาย:
RF Power Discrete Transistors
ประเภท:
อิเล็กทรอนิกส์เซมีคอนดักเตอร์
รายละเอียด
Product Category ::
RF Amplifier
Gain (dB) ::
18
Output Power (W) ::
180
ความถี่ต่ำสุด (GHz) ::
1.8
Process ::
LDMOS
ความถี่สูงสุด (GHz) ::
1.88
Manufacturer ::
Ampleon USA Inc.
คําแนะนํา
BLF6G20-180PN112จาก Ampleon USA Inc. เป็นเครื่องขยายเสียง RF สิ่งที่เรานําเสนอมีราคาที่แข่งขันในตลาดโลก ซึ่งเป็นชิ้นส่วนเดิมและใหม่หากคุณต้องการรู้เพิ่มเติมเกี่ยวกับสินค้า หรือขอราคาต่ํากว่า, โปรดติดต่อเราผ่าน ผ่านออนไลน์แชท หรือส่งข้อเสนอราคาให้เรา!
สินค้าที่เกี่ยวข้อง
BLA9H0912L-250U
RF Power Discrete Transistors
C4H10P600AY
RF Power Discrete Transistors
BLF8G22LS-160BV11
RF Power Discrete Transistors
BLP10H660PGY
RF Power Discrete Transistors
BLS7G2730LS-200PU
RF Power Discrete Transistors
BLP05H6700XRY
RF Power Discrete Transistors
BLS9G2731LS-400U
RF Power Discrete Transistors
BLC10G22XS-400AVTZ
RF Power Discrete Transistors
BLF6G22LS-100,112
RF Power Discrete Transistors
BLC9G27XS-380AVTZ
RF Power Discrete Transistors
| ภาพ | ส่วนหนึ่ง # | คําอธิบาย | |
|---|---|---|---|
|
|
BLA9H0912L-250U |
RF Power Discrete Transistors
|
|
|
|
C4H10P600AY |
RF Power Discrete Transistors
|
|
|
|
BLF8G22LS-160BV11 |
RF Power Discrete Transistors
|
|
|
|
BLP10H660PGY |
RF Power Discrete Transistors
|
|
|
|
BLS7G2730LS-200PU |
RF Power Discrete Transistors
|
|
|
|
BLP05H6700XRY |
RF Power Discrete Transistors
|
|
|
|
BLS9G2731LS-400U |
RF Power Discrete Transistors
|
|
|
|
BLC10G22XS-400AVTZ |
RF Power Discrete Transistors
|
|
|
|
BLF6G22LS-100,112 |
RF Power Discrete Transistors
|
|
|
|
BLC9G27XS-380AVTZ |
RF Power Discrete Transistors
|
ส่ง RFQ
สต็อค:
ขั้นต่ำ: